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中國一冶中標國家存儲器基地項目長江未來館工程
來源:中國一冶 作者:常岑 發布時間:2019年10月14日 訪問量:
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  10月12日,中國一冶中標--國家存儲器基地項目(一期)長江未來館工程。

  國家存儲器基地項目(一期)長江未來館工程位于武漢光谷未來科技城內,場地北側為三湖街路,東側為未來三路,西側為未來二路,南側為科技五路。中國一冶施工內容主要為有長江未來館施工圖所示的土建工程、室外工程、大臨設施、機電工程、消防工程、精裝修等所有項目及外部連廊。工程主體為五層鋼筋混凝土框架結構,屋面為鋼架屋面,建筑占地面積18868平方米,建筑面積66898平方米。使用功能包括停車、運動健身及生活娛樂。

  國家存儲器基地項目以芯片制造環節為突破口,集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體,建成后,將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展,總產能將達到每月30萬片,年產值將超過100億美元,標志著芯片國產化之路將邁出可靠而重要的一步。


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